mercoledì 22 luglio 2026 00:56 Mobile Tag_Search Network_Search Site_Map Feed_RSS 3dfxzone amdzone atizone nvidiazone unixzone forumzone enboard.3dfxzone
     
HWSetup.it
proudly powered by 3dfxzone.it
 
 
Home   |   News   |   Headlines   |   Articoli   |   Componenti   |   Schede Video   |   Applicazioni   |   Benchmark   |   Community   |   Redazione   |   Ricerca
Sei in: Home  News  Samsung prepara il lancio dei drive SSD NVMe M.2 990 nel mercato consumer
Samsung prepara il lancio dei drive SSD NVMe M.2 990 nel mercato consumer
a cura di Giacomo Usiello | pubblicato il 4 luglio 2026
Condividi su Facebook Condividi su Twitter Condividi su WhatsApp Condividi su reddit

Samsung sta preparando il lancio di una nuova linea di drive a stato solido di tipo NVMe in formato M.2 denominata 990.

A rivelarlo è stato lo stesso produttore coreano dal momento che, probabilmente per un errore, la nuova linea è stata inserita nel catalogo on line pubblicato nella versione canadese del sito di Samsung.

Il sito videocardz ha condiviso le immagini del drive prima della rimozione da parte della stessa Samsung, e inoltre alcuni screenshot tratti da uno store on line in cui gli SSD 990 da 1TB e 2TB, descritti come "entry level NVMe", sono prenotabili rispettivamente a un prezzo pari a $336 e $658 rispettivamente.

In base alle informazioni temporaneamente condivise da Samsung, i drive della linea 990 sono "DRAM-less", ovvero utilizzano la tecnologia NVMe denominata HBM (Host Memory Buffer), e dunque un'area della memoria centrale RAM del PC, come memoria cache.

Inoltre, sono realizzati con l'ausilio di chip di memoria flash di tipo V-NAND ovviamente proprietaria gestiti da un controller che è a sua volta sviluppato in-house dalla stessa Samsung.

Per quanto concerne il livello prestazione misurato nello scenario di accesso sequenziale ai dati, i data rate massimi in lettura e scrittura sono pari rispettivamente a 7.150MB/s e 6.450MB/s per la variante da 1TB.

Il drive SSD 990 da 2TB può raggiungere invece i data rate pari a 7.250MB/s e 6.450MB/s rispettivamente in lettura e scrittura sequenziale. Nello scenario di accesso random, il numero di operazione di I/O nell'unità di tempo (IOPS o Input/Output Operations Per Second) sono pari a 850K in lettura e a 1.200K in scrittura per tale variante.





[Risorse correlate]
 TAG: 990  |  consumer  |  entry-level  |  iops  |  samsung  |  ssd  |  v-nandIndice Tag  
  News successiva   News precedente
 HFS - Http File Server 3.2.0 consente di costruire un server HTTP a costo zero   L'utility free Password Safe 3.72.1 memorizza le password in formato cifrato 
  Altre news che ti potrebbero interessare Indice News  
 Il monitor Samsung Odyssey Ark è il sogno proibito di ogni gamer enthusiast 
 Un leak svela foto e specifiche dello smartphone Galaxy J7+ di Samsung 
 Samsung potrebbe anticipare il lancio degli smartphone Galaxy S9 
 Samsung annuncia il visore VR Odyssey per la Windows Mixed Reality 
 Samsung annuncia il SoC flag-ship Exynos 9810 destinato al Galaxy S9 
 Samsung annuncia il lancio imminente del Galaxy Note8 di colore blue mare 
 Uno shop on line svela i drive SSD NVMe M.2 della linea PM981 di Samsung 
 Samsung diviene il principale fornitore di chip superando Intel nel 2017 
 Toshiba introduce la linea di drive a stato solido OCZ TR200 con memoria 3D BiCS 
 Svelata la data di lancio degli SSD Intel Optane 900P con memoria 3D XPoint 
      Contatti

      Pubblicità

      Media Kit
      Community HWSetup.it

      Condividi sui social

      Condividi via email
      Feed RSS

      Note legali

      Privacy
      Sitemap

      Translator

      Links
      Siti Partner:

      3dfxzone.it      amdzone.it      atizone.it

      forumzone.it      nvidiazone.it      unixzone.it
Le pagine di HWSetup.it sono generate da un'applicazione proprietaria di cui è vietata la riproduzione parziale o totale (layout e/o logica). I marchi e le sigle in esso citate sono di proprietà degli aventi diritto.