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SK Hynix fornisce interessanti dettagli sulle nuove memorie DRAM DDR5 e DDR6
a cura di Giacomo Usiello | 29 gennaio 2019
 
Nel corso di una intervista pubblicata dal The Korea Herald, Kim Dong-kyun, una ricercatrice di SK Hynix che lavora su tematiche DRAM-oriented, ha espresso alcune considerazioni in merito al futuro del mercato della memoria DRAM, e in particolar modo relativamente alla memoria DDR5 e DDR6.

In accordo alla fonte, la memoria DDR5 è destinata ad essere ampiamente utilizzata nell'ambito delle applicazioni focalizzate sui sistemi automobilistici e, più in generale, in tutti gli scenari che richiedono una piattaforma con spiccate doti di correzione dell'errore (con DDR5 la tecnologia ECC sarà integrata nei chip di DRAM).

Inoltre, la velocità delle memorie DDR5 partirà da 5200MHz e raggiungerà i 6400MHz entro il 2022. Infine, la produzione in volumi dei chip di memoria DDR5 sarà avviata nel corso del 2020.

Kim Dong-kyun ha fatto riferimento anche alla memoria destinata a succedere alla DDR5, indicata come DDR6, anche se sia la denominazione che la tecnologia di tale prodotto sono ampiamente da definire.

Ad esempio, non è chiaro se la DDR6 sarà una evoluzione della DDR5 oppure una soluzione radicalmente differente in quanto potrebbe essere integrata direttamente nei SoC, e dunque inclusa nello stesso chip che già contiene la CPU.



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