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La memoria Z-NAND riduce potenzialmente il gap con la memoria Optane di Intel

a cura di Giacomo Usiello | 20 novembre 2017

Le prestazioni della memoria di nuova generazione Z-NAND di Samsung potrebbero essere molto vicine a quelle ottenibili con la memoria Optane, basata sulla tecnologia 3D XPoint sviluppata in sinergia da Intel e Micron.

E' questo il risultato di una analisi pubblicata dal sito The Register che ha messo a confronto le specifiche della unità a stato solido Samsung SZ985, il primo drive di tipo Z-SSD prodotto e non ancora commercializzato da Samsung, e quelle della unità di storage Intel Optane P4800X.

Dall'incrocio viene fuori che il gap, comunque esistente, tra la memoria Z-NAND e la memoria 3D XPoint è molto più ridotto di quello esistente tra l'attuale tecnologia NAND e la stessa memoria 3D XPoint.

Per fissare le idee, con un SSD NVMe standard la latenza in fase di lettura e scrittura è quantificabile rispettivamente in 110 e 120 microsecondi, mentre con la memoria Z-NAND scende potenzialmente fino a 12-20 microsecondi in lettura e fino a 16 microsecondi in scrittura. Con il drive Intel Optane P4800X, invece, la latenza è quantificabile in 10 microsecondi sia in lettura che in scrittura.

In termini di IOPS, infine, il Samsung SZ985 vanta una performance pari a 750K in lettura e a 170K in scrittura mentre il drive Optane P4800X di Intel fa misurare 550K in entrambi gli scenari.





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